特許
J-GLOBAL ID：201203091327819697
導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
宮▲崎▼ 主税
, 目次 誠
, 石村 知之
, 中山 和俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-139612
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004034
出願日： 2010年06月18日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】電極間の接続に用いた場合に、電極間の接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子1は、基材粒子2と、基材粒子2の表面2aに設けられており、かつニッケルを含むニッケル導電層3とを備える。ニッケル導電層3は、外表面にニッケル酸化物又はニッケル水酸化物を含む被膜を有する。ニッケル導電層3の外表面3aの厚み1nmの領域において、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS)により負の電荷を帯びたイオンNiOH、NiO、Niを分析したときにNiOH/Niが1.5以下かつNiO/Niが0.8以下であり、もしくは飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS)により正の電荷を帯びたイオンNiOH、Niを分析したときにNiOH/Niが3.0以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材粒子と、前記基材粒子の表面に設けられているニッケルを含むニッケル導電層とを備え、
前記ニッケル導電層が、外表面にニッケル酸化物又はニッケル水酸化物を含む被膜を有し、
前記ニッケル導電層の外表面の厚み1nmの領域において、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS)により負の電荷を帯びたイオンNiOH、NiO、Niを分析したときにNiOH/Niが1.5以下かつNiO/Niが0.8以下であり、もしくは飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS)により正の電荷を帯びたイオンNiOH、Niを分析したときにNiOH/Niが3.0以下である、導電性粒子。
IPC (5件)：
H01B 5/00
, H01B 5/16
, H01B 1/22
, H01R 11/01
, H01L 21/60
H01B5/00 C
, H01B5/00 G
, H01B5/00 M
, H01B5/16
, H01B1/22 Z
, H01R11/01 501E
, H01L21/60 311Q
5F044LL09
, 5G301DA02
, 5G301DA10
, 5G301DA42
, 5G301DA57
, 5G301DD01
, 5G301DD02
, 5G301DD03
, 5G301DE01
, 5G307AA08
, 5G307HA02
, 5G307HB03
, 5G307HC01
