特許

J-GLOBAL ID：201203092409544900

光応答性材料及びその製造方法

発明者： 森川 健志 ,  荒井 健男 ,  梶野 勉
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-273100
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124292
出願日： 2010年12月08日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】製造コストが低いP型半導体特性を示す酸化鉄(Fe2O3)を得る。【解決手段】ヘマタイト結晶相を有する酸化鉄(Fe2O3)の結晶中に窒素(N)をドーピングすることによって、P型の半導体特性を示す材料を得ることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ヘマタイト結晶相を有する酸化鉄(Fe2O3)の結晶中に窒素(N)がドーピングされたP型の半導体特性を示す材料。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  B01J 35/02 ,  B01J 23/745

FI (3件)：

H01L31/04 Z ,  B01J35/02 J ,  B01J23/74 301A

Fターム (31件)：

4G169AA03 ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BD06A ,  4G169BD06B ,  4G169DA05 ,  4G169EC22X ,  4G169EC22Y ,  4G169EC25 ,  4G169EC30 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB29 ,  4G169FC08 ,  4G169HA02 ,  4G169HB06 ,  4G169HC02 ,  4G169HC29 ,  4G169HD13 ,  5F151AA20 ,  5F151CB15 ,  5F151CB18 ,  5F151CB24 ,  5F151DA05 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光触媒物質および光触媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-017625   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 半導体材料及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-066353   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Photoresponse of p-Type Zinc-Doped Iron(III) Oxide Thin Films