特許

J-GLOBAL ID：200903028017533719

半導体材料及び半導体素子

発明者： 中野 由崇 ,  森川 健志 ,  佐伯 周
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-066353
公開番号（公開出願番号）：特開2009-149485
出願日： 2008年03月14日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】無添加の場合よりも大きなバンドギャップを有するCu2O結晶を含む半導体材料を提供する。【解決手段】Cu2O結晶を含み、銅(Cu)及び酸素(O)以外の第3の元素を含有させることによってバンドギャップを2.1eV以上とした半導体材料により上記課題を解決することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

銅及び酸素が結合したCu2O結晶を含む結晶構造を基本とした半導体材料であって、 銅及び酸素以外の第3の元素を含有させることによってバンドギャップを2.1eV以上としたことを特徴とする半導体材料。

IPC (3件)：

C01G 3/00 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

C01G3/00 ,  H01L31/04 E ,  H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P

Fターム (17件)：

5F051AA07 ,  5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051CA13 ,  5F051CA32 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE15 ,  5H032HH01 ,  5H032HH02 ,  5H032HH08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• グレッチェル型太陽電池とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086330   出願人：科学技術振興事業団
• Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-312615   出願人：株式会社ブリヂストン