特許
J-GLOBAL ID：201203092892470629

レジストパターン形成方法

発明者：
阿部 翔

阿部 翔 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-196258
公開番号（公開出願番号）：特開2012-053307
出願日： 2010年09月01日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：
【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体22上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する1つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン20を形成する工程(1)と、前記ポジ型レジストパターン20が形成された前記支持体22上に、露光により有機溶剤に対する溶解性が減少するネガ型現像用レジスト組成物を塗布してネガ型現像用レジスト膜21を形成する工程(2)と、前記ネガ型現像用レジスト膜21を露光し、前記有機溶剤を含有するネガ型現像液により現像して、前記ポジ型レジストパターン20を除去するレジストパターンを形成する工程(3)と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持体上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する1つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターンを形成する工程(1)と、 前記ポジ型レジストパターンが形成された前記支持体上に、露光により有機溶剤に対する溶解性が減少するネガ型現像用レジスト組成物を塗布してネガ型現像用レジスト膜を形成する工程(2)と、 前記ネガ型現像用レジスト膜を露光し、前記有機溶剤を含有するネガ型現像液により現像して、前記ポジ型レジストパターンを除去するレジストパターンを形成する工程(3)と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28
FI (8件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/30 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28 ,  H01L21/30 514A
Fターム (52件)：
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF33P ,  2H125AF38P ,  2H125AF43P ,  2H125AF70P ,  2H125AH13 ,  2H125AH17 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN37P ,  2H125AN39P ,  2H125BA01P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA22S ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA39 ,  4J100DA40 ,  4J100JA38 ,  5F046AA13 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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