ダブルパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-098024
公開番号（公開出願番号）：特開2009-251216
出願日： 2008年04月04日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【解決手段】被加工基板上に化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布してレジスト膜を形成し、パターン照射し、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせアルカリ可溶とし、現像して第1のポジ型パターンを得る工程、第1のパターン中の酸不安定基を脱離させると共に架橋を形成させる工程、反転膜形成用組成物として第2の化学増幅ネガ型レジスト膜形成用組成物を塗布して第2のレジスト膜を形成し、パターン照射し、露光部の樹脂をアルカリ現像液に不溶化後、現像して、第2のネガ型パターンを得る工程、この現像工程において、現像液に可溶に反転している第1のパターンを、第2のレジスト膜中スペースパターンとして溶解除去し、反転転写する工程を含む、第1のレジスト膜の反転転写パターンを得ると共に第2のパターンを形成させるダブルパターン形成方法。【効果】本発明によれば、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

被加工基板上に、酸によって脱離する酸不安定基によって保護されたアルカリ可溶性基を持つ構造を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布し、プリベークにより不要な溶剤を除去してレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線をパターン照射し、露光後加熱により露光によって発生した酸を酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせてアルカリ可溶とした後、アルカリ性現像液で現像して第1のポジ型パターンを得る工程、更に該ポジ型パターンを得る工程で得られた第1レジストパターン中の上記樹脂の酸不安定基を脱離させると共に、該樹脂にアルカリ性現像液に対する溶解性を失わない範囲で架橋を形成させて、レジストパターンに反転膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を与える工程、その後、反転膜形成用組成物として、アルカリ可溶性基を持つ構造を有する繰り返し単位を有する樹脂と酸架橋性剤を含有する第2の化学増幅ネガ型レジスト膜形成用組成物を塗布し、不要な溶剤をプリベークにより除去して第2レジスト膜を形成し、該第2レジスト膜に高エネルギー線をパターン照射し、露光後加熱により露光によって発生した酸を架橋性基に作用させ、露光部の樹脂をアルカリ現像液に不溶化後、アルカリ性現像液で現像して、第2のネガ型パターンを得る工程、そして更に第2のネガ型パターンを得るアルカリ現像液工程において、アルカリ性現像液に可溶に反転している上記第1のポジ型パターンを、第2のネガ型レジスト膜中スペースパターンとして溶解除去し、反転転写する工程を含む、上記第1のポジ型レジスト膜の反転転写パターンを得ると共に、第2のネガ型パターンを形成させることを特徴とするダブルパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 220/28

FI (7件)：

G03F7/40 511 , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 570 , H01L21/30 573 , H01L21/30 502C , C08F220/28

Fターム (48件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF07 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB33 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096HA05 , 4J100AJ02S , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03R , 4J100BA03S , 4J100BA11P , 4J100BB18S , 4J100BC04Q , 4J100BC04S , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12Q , 4J100BC53Q , 4J100BC58P , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100FA19 , 4J100JA38 , 5F046AA13 , 5F046LA18 , 5F046NA01 , 5F046NA04

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-154266号公報
画像反転陰画作用フォトレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-149596 出願人：ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション
特開昭64-7525号公報

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審査官引用 (6件)

ダブルパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-022350 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-031272 出願人：信越化学工業株式会社
レジスト処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-157131 出願人：住友化学株式会社

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