特許
J-GLOBAL ID：201203093698422849
ガス導入装置及び基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
別役 重尚
, 村松 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-254336
公開番号（公開出願番号）：特開2012-057253
出願日： 2011年11月21日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：
【課題】皮膜の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる基板処理装置用のガス導入装置を提供する。【解決手段】プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板35と、電極板を冷却するクーリングプレート36と、ガスが導入される上部電極体37とがこの順序で下側から順に重畳されたガス導入装置において、クーリングプレート36として、主成分がJIS規格のA6061合金を基材に用いて、この基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって皮膜を形成し、この皮膜に対して沸騰水中に5分〜10分間浸漬する半封孔処理を施したものを用いる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
処理空間内にガスを供給してプラズマを生成する基板処理装置用のガス導入装置であって、
複数のガス孔を有し、前記プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、
前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、
ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを備え、
前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳されており、
前記クーリングプレートは、その基材の主成分がJIS規格のA6061合金であり、前記基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって前記基材の表面に形成された皮膜を備え、
前記皮膜には、前記皮膜を沸騰水中に5分〜10分間浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする基板処理装置用のガス導入装置。
IPC (6件)：
C25D 11/04
, C25D 11/14
, C25D 11/18
, H05H 1/46
, H01L 21/683
, H01L 21/306
C25D11/04 308
, C25D11/14 D
, C25D11/18 301C
, H05H1/46 M
, H01L21/68 N
, H01L21/302 101G
5F004AA16
, 5F004BA06
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F031CA02
, 5F031HA16
, 5F031HA33
, 5F031HA38
, 5F031HA39
, 5F031MA28
, 5F031MA32
