特許
J-GLOBAL ID：201203094309004901

半導体素子および電子機器

発明者：
小野 秀樹

小野 秀樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-112316
公開番号（公開出願番号）：特開2012-243936
出願日： 2011年05月19日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：
【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機半導体層と、前記有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、 前記層の外形線は、前記有機半導体層の外形線よりも内側にある 半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (7件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B
Fターム (76件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF16 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110QQ03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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