特許
J-GLOBAL ID：201203094492010028
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-098374
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231014
出願日： 2011年04月26日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：
【課題】発光領域への電流注入密度、および発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、支持基板と、第1電極と、第1導電形層と、発光層と、第2導電形層と、第2電極と、を有する。前記第1導電形層は、第1コンタクト層、前記第1コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第1クラッド層、を有する。前記第2導電形層は、第2クラッド層、電流拡散層、第2コンタクト層、を有する。前記第2電極は、前記第2コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第2コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。前記第1コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。前記第1コンタクト層は、前記窓層と前記第1電極との間に選択的に設けられ、上方からみて、前記第1コンタクト層と、前記第2コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、
前記支持基板の上に設けられた第1電極と、
前記第1電極の上に設けられ、前記第1電極の側から、第1コンタクト層、前記第1コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第1クラッド層、をこの順序に少なくとも有する第1導電形層と、
前記第1導電形層の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上に設けられ、前記発光層の側から、第2クラッド層、電流拡散層、第2コンタクト層、をこの順序に少なくとも有する第2導電形層と、
前記第2導電形層の上に設けられ、前記第2コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第2コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する第2電極と、
を備え、
前記第1コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きく、
前記第1コンタクト層は、前記窓層と前記第1電極との間に選択的に設けられ、
上方からみて、前記第1コンタクト層と、前記第2コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 210
, H01L33/00 150
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F141AA03
, 5F141CA05
, 5F141CA35
, 5F141CA37
, 5F141CA65
, 5F141CA66
, 5F141CA88
, 5F141CA92
, 5F141CA93
, 5F141CB15
