発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371990
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216431
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【目的】発光強度の向上した発光素子を提供する。【構成】基板1の一主面上に、n型半導体層とp型半導体層とを備え、且つp型半導体層上に形成されたp側電極12の側から発光が取り出されるようにされた発光素子において、p側電極12は、p型半導体層の表面を覆って設けられた電極膜部分12Aと、前記p型半導体層を露出して設けられた発光取出し部12Bとを有し、且つp側電極12における電極膜部分12Aの割合が50%より大きく75%以下である。

請求項（抜粋）：

n型半導体層とp型半導体層とを備え、且つ前記p型半導体層上に形成されたp側電極の側から発光が取り出されるようにされた発光素子において、前記p側電極は、前記p型半導体層の表面を覆って設けられた電極膜部分と、前記p型半導体層を露出して設けられた発光取出し部とを有し、且つ前記p側電極における前記電極膜部分の割合が50%より大きく75%以下であることを特徴とする発光素子。

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-100277
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-057235 出願人：シャープ株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-135220 出願人：旭化成工業株式会社

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