特許
J-GLOBAL ID：201203095912507450

トンネル磁気記録素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
早川 純

早川 純 について

, 
山ノ内 路彦

山ノ内 路彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009001017
公開番号（公開出願番号）：WO2010-100678
出願日： 2009年03月06日
公開日（公表日）： 2010年09月10日
要約：
トンネル磁気記録素子及びそれを用いた低消費電力不揮発性メモリに関し、磁気情報読み出し時の誤書込みの発生を低減することを目的とする。 情報読出し時に、電界印加あるいは光照射により交換結合磁界を変調し、磁気記録層2002のダンピング定数αを増大させることにより、読出し時の誤書込み率を低減する。交換結合磁界を変調させる手段は、トンネル磁気記録素子の磁気記録層にマルチフェロイックス層を隣接させ電界を印加することにより、あるいは、磁気記録層に反強磁性層を介してレーザダイオードを備えレーザ光を照射することによって行う。書込みは、磁気固定層、トンネル障壁層、磁気記録層に流れる電流によって作用するスピントランスファートルクにより行い、読出しは、磁気記録層の磁化方向をトンネル磁気抵抗効果によって電気的に検出することにより行う。
請求項（抜粋）：
磁気記録層と、 前記磁気記録層に隣接する障壁層と、 前記障壁層に隣接する磁気固定層と、 前記磁気記録層の他方の面に隣接して設けられたマルチフェロイックス層と、 前記磁気固定層側に設けられた第1の電極層と、 前記マルチフェロイックス層側に設けられた第2の電極層と、 前記磁気記録層に接続された第3の電極とを有し、 前記磁気記録層は、前記マルチフェロイックス層との間に作用する磁気交換結合により、磁化方向が固定され、 前記磁気固定層と前記磁気記録層の磁化方向に応じて電気抵抗が変化し、 前記磁気記録層の磁気情報を読み出す際に、前記第1の電極層と第2の電極層を介して前記マルチフェロイックス層に電界を印加することにより、前記磁気記録層の磁化回転の確率を低減させて、前記第1の電極層と前記第3の電極との間の電気抵抗を検出して読み出し、 前記磁気記録層に磁気情報を書き込む際に、前記第1の電極層と前記第3の電極を介して電流を印加することにより、磁気記録層の磁化方向をスピントランスファートルクにより回転して磁気情報を書込むものであるトンネル磁気記録素子。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10
Fターム (52件)：
4M119AA01 ,  4M119AA06 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC07 ,  4M119CC09 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE28 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119HH04 ,  5F092AA04 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC01 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BE13
引用特許：
出願人引用 (3件)

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