特許
J-GLOBAL ID:201203097923343673

レーザースプレーイオン化を用いる質量分析

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-514146
公開番号(公開出願番号):特表2012-529058
出願日: 2010年06月03日
公開日(公表日): 2012年11月15日
要約:
レーザースプレーイオン化(LSI)を用いる質量分析のための系および方法を本明細書中に開示する。LSIは、分析のために大気圧で多荷電イオン(多価イオン)を生成することが可能であり、4000ダルトンを超える分子を含む高分子量分子の分析を可能にする。該分析は、溶媒に基づく分析、または無溶媒分析でありうる。LSIによる無溶媒分析は、表面および/または組織イメージングにおいて有益な改善された空間分解能を可能にする。
請求項(抜粋):
物質の分析のために多荷電イオンを製造する方法であって、 a.物質およびマトリックスを物質/マトリックスアナライトとして表面に適用し、 b.該物質/マトリックスアナライトを大気圧またはその圧力付近でレーザーでアブレーションし、 c.該レーザーアブレート化物質/マトリックスアナライトを加熱領域に通過させた後、該物質/マトリックスアナライトを質量分析計の高真空領域に進入させることを含む、方法。
IPC (2件):
G01N 27/62 ,  H01J 49/10
FI (2件):
G01N27/62 G ,  H01J49/10
Fターム (7件):
2G041CA01 ,  2G041DA04 ,  2G041DA18 ,  2G041EA01 ,  2G041FA10 ,  5C038GG07 ,  5C038GH09
引用特許:
審査官引用 (3件)

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