特許
J-GLOBAL ID：201203098657760022
多層カーボンナノチューブの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-288399
公開番号（公開出願番号）：特開2012-136362
出願日： 2010年12月24日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：
【課題】多層のカーボンナノチューブを製造するのに有利な多層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】触媒粒子を担持させた基体をCVD装置の反応容器内に配置した状態で、カーボンナノチューブ形成温度に基体を維持させると共に、炭素源を含む原料ガスをCVD装置の反応容器に導入させることにより、触媒粒子を有する基体の表面にカーボンナノチューブ集合体を基体の表面に形成する。担持後であって原料ガスを反応容器内に導入させる前に、触媒粒子を担持した基板を反応容器内において所定時間加熱させて基体上の触媒粒子を成長させて触媒粒子サイズを増加させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
触媒粒子を基体の表面に担持させる担持工程と、
前記触媒粒子を担持させた前記基体をCVD装置の反応容器内に配置した状態で、カーボンナノチューブ形成温度に前記基体を維持させると共に、炭素源を含む原料ガスを前記CVD装置の前記反応容器に導入させることにより、前記触媒粒子を有する前記基体の前記表面にCVD処理により前記触媒粒子の活性を利用してカーボンナノチューブ形成反応を発生させて多層カーボンナノチューブを有するカーボンナノチューブ集合体を前記基体の表面に形成するカーボンナノチューブ形成工程とを順に実施する多層カーボンナノチューブの製造方法であって、
前記担持工程後であって前記原料ガスを前記反応容器内に導入させる前に、前記触媒粒子を担持した前記基体を前記反応容器内において所定時間加熱させて前記基体上の前記触媒粒子を成長させて触媒粒子サイズを増加させるサイズ増加処理を実施することを特徴とする多層カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G146AA11
, 4G146AB10
, 4G146AC03B
, 4G146AC22B
, 4G146AD24
, 4G146AD29
, 4G146AD32
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC33B
, 4G146BC37B
, 4G146BC44
