特許

J-GLOBAL ID：200903011373548305

多層カーボンナノチューブの集合構造

発明者： 小向 拓治 ,  吉原 久美子 ,  山崎 智基
出願人/特許権者： ソナック株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309720
公開番号（公開出願番号）：特開2008-120658
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】超高密度に集合した多層カーボンナノチューブの集合構造を提供すること。【解決手段】基板表面上の触媒微粒子の作用で成長した多層カーボンナノチューブの集合構造であって、所定の倍率のSEM写真での観察結果も、さらに倍率が大きいSEM写真での観察結果でも形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性とを備えて高密度に集合した多層カーボンナノチューブの集合構造である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板表面上の触媒微粒子の作用で成長する複数の多層カーボンナノチューブの集合構造であって、上記多層カーボンナノチューブそれぞれが、形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性とを備えて50(mg/cm3)以上の密度で集合している、ことを特徴とする多層カーボンナノチューブの集合構造。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (20件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AC25A ,  4G146AC25B ,  4G146AD05 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC44

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 低圧-DC-熱化学蒸着法を利用したカーボンナノチューブ垂直配向蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-073546   出願人：三星エスディアイ株式会社, 李永照
• 炭素膜の製造方法および炭素膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-037881   出願人：ソナック株式会社
• カーボンナノチューブの作製装置および作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-008259   出願人：学校法人東海大学, 株式会社エイコー・エンジニアリング
• 複合多層カーボンナノチューブ、電子放出材料および電子エミッタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-152769   出願人：ソナック株式会社

審査官引用 (3件)

• 炭素膜の製造方法および炭素膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-037881   出願人：ソナック株式会社
• カーボンナノチューブの作製装置および作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-008259   出願人：学校法人東海大学, 株式会社エイコー・エンジニアリング
• 複合多層カーボンナノチューブ、電子放出材料および電子エミッタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-152769   出願人：ソナック株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 熱CVD 法を用いたブラシ状多層カーボンナノチューブの高速成長

審査官引用 (1件)

• 熱CVD 法を用いたブラシ状多層カーボンナノチューブの高速成長