特許

J-GLOBAL ID：201203098844056010

記憶素子及び記憶装置

発明者： 大森 広之 ,  細見 政功 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  山根 一陽 ,  内田 裕行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-142680
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009538
出願日： 2010年06月23日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】磁化の向きが膜面に垂直な方向の垂直磁化層17と、非磁性層16と、膜面内方向に磁化容易軸を有し、磁化の向きが膜面に垂直な方向から15度以上45度以下の角度で傾斜している、強磁性層15と、垂直磁化層17と強磁性層15とが非磁性層16を介して積層され、垂直磁化層17と強磁性層15とが磁気的結合して成る記憶層22と、磁化の向きが膜面に垂直な方向に固定された磁化固定層21と、記憶層22及び磁化固定層21の間に配置された、非磁性の中間層15とを含み、各層の積層方向に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子20を構成する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

磁化の向きが膜面に垂直な方向の垂直磁化層と、 非磁性層と、 膜面内方向に磁化容易軸を有し、磁化の向きが膜面に垂直な方向から15度以上45度以下の角度で傾斜している、強磁性層と、 前記垂直磁化層と前記強磁性層とが前記非磁性層を介して積層され、前記垂直磁化層と前記強磁性層とが磁気的結合して成り、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 磁化の向きが膜面に垂直な方向に固定された、磁化固定層と、 前記記憶層及び前記磁化固定層の間に配置された、非磁性の中間層とを含み、各層の積層方向に電流を流すことにより情報の記録が行われる 記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (29件)：

4M119AA03 ,  4M119AA05 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  5F092AB07 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-251256   出願人：コリアインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-094887   出願人：株式会社東芝