特許

J-GLOBAL ID：201203099394413132

炭化珪素単結晶およびその製造方法

発明者： 廣瀬 富佐雄 ,  小島 淳 ,  児島 一聡 ,  加藤 智久 ,  安達 歩 ,  西川 恒一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-172287
公開番号（公開出願番号）：特開2012-031014
出願日： 2010年07月30日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【課題】デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるSiC単結晶を得る。【解決手段】SiC単結晶に窒素をドープし、かつ、窒素の濃度を2×1019cm-3より多くする場合に、Alも同時にドープすると共にAl/N比が5%以上となるようにする。これにより、積層欠陥を低減することができる。さらに、Al/N比が40%以下となるようにすることで、比抵抗を小さくすることができ、デバイスに望まれる比抵抗を得ることができる。したがって、デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるSiC単結晶を得ることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒素が2×1019cm-3以上の濃度でドープされていると共に、アルミニウムがドープされ、窒素濃度に対するアルミニウム濃度の比率が5%以上かつ40%以下とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/06

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B23/06

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077FG11 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-005950   出願人：新日本製鐵株式会社
• 低抵抗率炭化珪素単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-136476   出願人：新日本製鐵株式会社