低抵抗率炭化珪素単結晶基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司 , 佐々木一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-136476
公開番号（公開出願番号）：特開2008-290898
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための低抵抗率炭化珪素単結晶基板を提供する。【解決手段】体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、{0001}面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、該基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われていることを特徴とする低抵抗率炭化珪素単結晶基板。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , C23C 16/42

FI (2件)：

C30B29/36 A , C23C16/42

Fターム (23件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB06 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077FG11 , 4G077GA02 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-109194 出願人：新日本製鐵株式会社
エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-151514 出願人：新日本製鐵株式会社
炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090698 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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