特許
J-GLOBAL ID：201203099608653411

半導体チップのピックアップ方法及び割裂装置

発明者：
石丸 維敏

石丸 維敏 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 宮▲崎▼ 主税 ,  目次 誠 ,  石村 知之 ,  中山 和俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-235703
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089707
出願日： 2010年10月20日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：
【課題】ダイボンディング層をX方向及びY方向において確実に割裂させることができる工程を備えた半導体チップのピックアップ方法を提供する。【解決手段】ダイボンディング層を、半導体ウェーハのX方向に延びる切断線X1及びY方向に延びる切断線Y1に沿って、割裂させるにあたり、X方向において隔てられた一対の第1の割裂治具13,14をダイシングシート4に圧接させ、切断線Y1に沿ってダイボンディング層3を割裂させる工程と、Y方向において隔てられた一対の第2の割裂治具15,16をダイシングシート4に圧接させ、ダイボンディング層3を切断線X1に沿って割裂させる工程とを備える、半導体チップのピックアップ方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハと、半導体ウェーハよりも面積が大きいダイシングシートと、前記半導体ウェーハと前記ダイシングシートとの間に積層されているダイボンディング層とを備え、前記ダイシングシートの前記半導体ウェーハよりも外側に位置している外周領域の少なくとも一部が粘接着性表面とされている積層体がダイシングリングに、前記ダイシングシートの粘接着性シート表面に、前記ダイシングリングが貼り合わされて固定されている構造を用意する工程と、 前記ダイシングシートの前記ダイボンディング層が積層されている面とは反対側の面から割裂治具を圧接させて前記ダイシングシートを半導体ウェーハの径方向外側に引っ張り、ダイボンディング層をX方向及びX方向に直交する方向であるY方向に割裂させる工程と、 前記半導体ウェーハから個片化された半導体チップを割裂により個片化されたダイボンディング層と共に取り出す工程とを備える、半導体チップのピックアップ方法において、 前記割裂工程が、 前記X方向において隔てられた一対の第1の割裂治具を前記ダイシングシートに圧接させることによりダイシングシートをX方向において半導体ウェーハの径方向両側に引っ張り、Y方向に延びる割裂ラインが形成されるように前記ダイボンディング層を割裂させる第1の割裂工程と、 前記Y方向において隔てられた一対の第2の割裂治具を前記ダイシングシートに圧接させることによりダイシングシートをY方向において半導体ウェーハの径方向両側に引っ張り、X方向に延びる割裂ラインが形成されるように、前記ダイボンディング層を割裂させる第2の割裂工程とを有する、半導体チップのピックアップ方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (4件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 W ,  H01L21/78 Y
引用特許：
審査官引用 (5件)
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