研究者
J-GLOBAL ID:201301074692078670
更新日: 2026年03月19日
松村 亮
マツムラ リョウ | Matsumura Ryo
所属機関・部署:
職名:
主任研究員
研究キーワード (3件):
結晶成長
, 電子デバイス
, 半導体
競争的資金等の研究課題 (8件):
- 2023 - 2026 光電融合LSIへ向けた絶縁膜上におけるGe系光学材料の結晶成長と光電デバイス応用
- 2021 - 2025 Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発
- 2020 - 2023 GeSn/Ge縦型ヘテロ接合ナノワイヤの実現と次世代トランジスタへの応用
- 2021 - 2022 レーザーアニールを用いたGeSn結晶薄膜の非熱平衡成長とトランジスタ応用
- 2020 - 2021 GeSn ナノワイヤトランジスタによる次世代多機能LSI 基盤技術の創製
- 2017 - 2019 絶縁基板上におけるボトムアップ型Siナノワイヤ成長技術の創製
- 2016 - 2019 次世代LSIの実現へ向けた 高性能ゲルマニウム・スズ・トランジスタの創製
- 2014 - 2016 異種機能融合型LSIの構築へ向けたIV族系ヘテロ構造の創製
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論文 (65件):
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Ahmed Mahmoud, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Plasma-assisted crystallization of germanium monosulfide in sub-100 nm on-insulator molecular-beam deposited thin films. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 9. 09SP02-09SP02
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Ryo MATSUMURA, Naoki FUKATA. Effect of plasma-cracked sulfur on the growth of tin-sulfide thin films by molecular beam deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 08SP05
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Qinqiang Zhang, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Aluminum-Catalyzed Lateral Growth of Spherulite-like GeS Thin Films on Insulating Substrates Using Vapor Transport: Implications for Electro-optic Applications. ACS Applied Nano Materials. 2025. 8. 21. 11046-11055
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Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Kaoru Toko, Ryo MATSUMURA, Naoki Fukata. High Doping Activation (≥1020 cm-3) in Tensile-Strained n-Ge Alloys Achieved by High-Speed Continuous-Wave Laser Annealing. ACS Applied Electronic Materials. 2024
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Qinqiang Zhang, Ryo Matsumura, Kazuhito Tsukagoshi, Naoki Fukata. Synthesis of submillimeter-scale laterally-grown germanium monosulfide thin films and their electro-optic applications. Journal of Materials Chemistry C. 2024. 12. 44. 18101-18110
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MISC (2件):
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Takagi Shinichi, Kim Wu-Kang, Jo Kwang-Won, Matsumura Ryo, Takaguchi Ryotaro, Katoh Takumi, Bae Tae-Eon, Kato Kimihiko, Takenaka Mitsuru. Ultrathin-Body Ge-on-Insulator Mosfet and TFET Technologies. Meeting Abstracts. 2018. 86. 31. 1042-86
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Sakai Takatsugu, Matsumura Ryo, Sadoh Taizoh, Miyao Masanobu. Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization. Meeting Abstracts. 2016. 33. 2130
書籍 (1件):
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シリコンフォトニクスによる 光デバイスの開発と異種材料集積化 -光電融合、Co-Packaged Opticsの実現に向けて-
2026 ISBN:9784867981467
講演・口頭発表等 (11件):
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Analysis and control of Si segregation phenomena to achieve uniform-SiGe crystals on insulator by rapid-melting growth
(2015 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2015 2015)
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Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition
(24th International Materials Research Congress, IMRC2015 2015)
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Low Temperature (<200oC) position controlled Solid Phase Crystallization of GeSn combined with Laser Anneal Seeding
(ICSI 9 2015)
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Low-Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulating Films for Next-Generation Flexible Electronics(1) Characteristics of Solid Phase Crystallization
(2014 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2014 2014)
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Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Large-Grain and Uniform -Composition SiGe on Insulator” (JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
(JSPS-imec 2014 2014)
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学歴 (3件):
- 2013 - 2016 九州大学 大学院システム情報科学府 電気電子工学専攻 博士課程
- 2011 - 2013 九州大学 大学院システム情報科学府 電気電子工学専攻 修士課程
- 2006 - 2011 九州大学 工学部 電気情報工学科
学位 (1件):
経歴 (5件):
- 2023/04 - 現在 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター 主任研究員
- 2017/04 - 2023/03 物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 研究員
- 2016/04 - 2017/03 日本学術振興会 特別研究員SPD
- 2014/04 - 2016/03 日本学術振興会 特別研究員DC2
- 2013/04 - 2014/03 九州電気専門学校 非常勤講師
委員歴 (6件):
受賞 (5件):
- 2024/01 - IUMRS Silver Award, MRM/IUMRS2023
- 2016/03 - 九州大学 学生表彰
- 2016 - International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Young Researcher Award
- 2015/12 - 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS2015) Best Paper Award
- 2013 - 第5回半導体デバイスフォーラム 講演奨励賞
所属学会 (1件):
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