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J-GLOBAL ID：201302200036196088   整理番号：13A1589250

(411)A面GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸の基板温度依存性

著者 (4件)： 建部崇政 (愛媛大 大学院) ,  名原優 (愛媛大 大学院) ,  田中佐武郎 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2012  ページ： 56  発行年： 2012年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  MBE成長 ,  *ビスマス化合物 ,  量子井戸 ,  温度依存性 ,  電子 ,  正孔 ,  *発光

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  量子井戸 ,  温度依存性