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J-GLOBAL ID：201302200505444454   整理番号：13A1820897

DCおよびACストレスのもとでの,HfSiONゲート誘電体を有するn-MOSFETにおける時間依存絶縁破壊(TDDB)分布

Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) distribution in n-MOSFET with HfSiON gate dielectrics under DC and AC stressing

著者 (10件)： HIRANO Izumi (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  HIRANO Izumi (Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8572, JPN) ,  NAKASAKI Yasushi (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  FUKATSU Shigeto (Semiconductor and Storage Products Co., Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  GOTO Masakazu (Semiconductor and Storage Products Co., Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  NAGATOMO Koji (Semiconductor and Storage Products Co., Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  INUMIYA Seiji (Semiconductor and Storage Products Co., Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  SEKINE Katsuyuki (Semiconductor and Storage Products Co., Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  MITANI Yuichiro (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8572, JPN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 53  号： 12  ページ： 1868-1874  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,種々のストレス条件のもとでの,HfSiONゲートスタックを有するn-FETにおける時間依存絶縁破壊(TDDB)について論じた。T_bdのワイブル分布の傾斜,ワイブルβは,ストレス条件,すなわち,DCストレス,単極ACストレスおよび二極ACストレスで変化する。一方,ストレス誘起漏れ電流(SILC)の時間進展成分はこれらのストレスにより変化しなかった。これらの実験結果は,ストレス条件による電子トラップ/脱トラップおよび正孔トラップ/脱トラップの調節が高kゲート誘電体において欠陥寸法を変えることを示している。それ故,注入されたキャリヤの制御とトラップの特性はT_bdの急勾配のワイブル分布を提供でき,高kゲートスタックを有する縮小されたCMOSデバイスにおける長期間信頼性に導く。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *絶縁膜 ,  *層間絶縁 ,  ケイ素化合物 ,  *酸化物 ,  窒化物 ,  N型半導体 ,  *MOSFET ,  *時間依存性 ,  *絶縁破壊 ,  *ゲート【半導体】 ,  Weibull分布 ,  *漏れ電流 ,  積層構造 ,  CMOS構造 ,  *信頼性 ,  容量電圧特性 ,  経時絶縁破壊 ,  MOS構造
準シソーラス用語： nMOSFET ,  TDDB ,  応力誘起漏れ電流 ,  SILC

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： DC ,  Ac ,  ストレス ,  HfSiON ,  ゲート誘電体 ,  MOSFET ,  絶縁破壊 ,  TDDB ,  分布