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J-GLOBAL ID：201302204685346035   整理番号：13A1926752

導電性ポリマー・金属複合材料の分散溶液を用いたTSVの高速充填

Fast Infilling of TSV with Dispersion of Conductive Polymer/Metal Composite

著者 (3件)： 川喜多仁 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  HORVATH Barbara (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  知京豊裕 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 64  号： 12  ページ： 685-686  発行年： 2013年12月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIの高集積化は二次平面上では限界に近く,三次元構造へと進化している。このような三次元構造を構築する上で上下層の導通を果たすバイアホール(THV)への導体充填が必須の技術となる。本研究においては,その技術開発として,導電性ポリマ・金属複合材料分散溶液による充填を調べた。20,30および50μm直径,深さ80μmの垂直孔を設けたシリコンウェハをポリピロール・銀分散複合溶液に1分浸漬し,その後室温,30分以上の放置により乾燥と固化を行なった。得たサンプルについて光学顕微鏡ならびに走査型電子顕微鏡によって微細構造観察を行なった。この結果,単純な浸漬により複合材料導体を高速に形成できることを明らかにした。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *バイアホール ,  導体 ,  *充填 ,  ポリピロール ,  銀 ,  溶液 ,  浸漬
準シソーラス用語： *シリコンウエハ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• 1)吉永孝司, 野村 稔 ; 科学技術動向, 4月号, p.23(2010).
• 2)傳田精一 ; 半導体の3次元実装技術, p. 149(CQ出版社, 2011).
• 3) J. Kawakita, T. Chikyow ; Japan J. Appl. Phys., 51, 06FG11 (2012).
• 4)大見忠弘 ; 繊維と工業, 48,(2), 55(1992).

タイトルに関連する用語 (4件)： 導電性ポリマー ,  複合材料 ,  溶液 ,  TSV