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J-GLOBAL ID：201302212922504409   整理番号：13A0032458

グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討

Study on the THz-wave Sensors Using In-Plane-Orientation-Controlled Pentacene OFET by Graphoepitaxy

著者 (6件)： 吉岡勇多 (奈良先端科学技術大学院大) ,  LI Shi-Guang (奈良先端科学技術大学院大) ,  LI Shi-Guang (千葉大 大学院工学研究科) ,  上田智也 (奈良先端科学技術大学院大) ,  松原亮介 (奈良先端科学技術大学院大) ,  中村雅一 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 304(OME2012 62-73)  ページ： 43-47  発行年： 2012年11月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには,素子がオン状態において障壁高さとして0.5-10meV程度のランダムなバンド端ゆらぎが存在していることが確認されている。この値は,ちょうどTHzフォトンエネルギーに相当することから,OFETにおける蓄積キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けることができれば,OFETの出力電流がTHz波に応答して変化する新型のTHzセンサが得られる。本研究では,グラフォエピタキシーによって面内配向成長させたペンタセンを活性層とするOFETを作製し,粒界部キャリア輸送障壁の平均高さが面内配向成長によって低下することを確認した。さらに,THz波時間領域分光法(THz-TDS)により,OFET中の蓄積キャリアによるTHz変調吸収スペクトルの形状が配向制御の有無によって異なっていることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 電磁波放射 ,  サブミリ波 ,  遠赤外線 ,  *赤外検出器 ,  薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  ポリアセン ,  配向 ,  エピタクシー ,  信号解析 ,  信号処理 ,  素子構造 ,  *吸収スペクトル
準シソーラス用語： グラフォエピタクシー ,  時間領域法 ,  有機薄膜トランジスタ ,  OFET

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (12件)：

• 阪井清美. テラへルツ光エレクトロニクス. 用物理. 2001, 70, 2, 149-155
• SAKAI, K. Introduction to Terahertz Pulses. Top. Appl. Phys. 2005, 97, 1-31
• OHASHI, N. Conductivity fluctuation within a crystalline domain and its origin in pentacene thin-film transistors. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 16, 162105
• MATSUBARA, R. Analysis of barrier height at crystalline domain boundary and in-domain mobility in pentacene polycrystalline films on SiO2. Appl. Phys,Lett. 2008, 92, 24, 24108
• MATSUBARA, R. Crystal order in pentacene thin films grown on Sio2 and itslnfluence on electronic band structure. Org. Electron. 2011, 12, 1, 195-201

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフォエピタキシー ,  配向制御 ,  ペンタセン ,  FET ,  THz波