文献

J-GLOBAL ID：201302213601908504   整理番号：13A1769202

非晶質インジウム-錫-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの負電荷捕獲のバイアス応力誘起閾値電圧シフト依存性

Bias-stress-induced threshold voltage shift dependence of negative charge trapping in the amorphous indium tin zinc oxide thin-film transistors

著者 (8件)： NGUYEN Cam Phu Thi (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  TRINH Thanh Thuy (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  DAO Vinh Ai (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  RAJA Jayapal (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  JANG Kyungsoo (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LE Tuan Anh Huy (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  IFTIQUAR S M (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  YI Junsin (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 10  ページ： 105014,1-6  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  負電荷 ,  *キャリア捕獲 ,  電圧 ,  非晶質 ,  *酸化インジウム ,  *酸化スズ ,  *酸化亜鉛 ,  薄膜
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  *透明導電性酸化物 ,  閾値電圧 ,  非晶質薄膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： 非晶質 ,  インジウム ,  錫 ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  電荷捕獲 ,  バイアス ,  応力 ,  誘起 ,  閾値電圧シフト ,  依存性