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J-GLOBAL ID：201302214076116070   整理番号：13A1087359

多孔質low-k膜内部および表面でのALD前駆体の化学吸着

Chemisorption of ALD precursors in and on porous low-k films

著者 (10件)： VERDONCK P. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  DELABIE A. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  SWERTS J. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  FARRELL L. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  BAKLANOV M.r. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  TIELENS H. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  VAN BESIEN E. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  WITTERS T. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  NYNS L. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  VAN ELSHOCHT S. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 106  ページ： 81-84  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層蒸着は高アスペクト比でコンフォーマルなnm薄型金属障壁を蒸着する有望な手法である。しかし正にその優れたコンフォーマリティにより,蒸着は最先進型low-k材料のナノ細孔内部まで行われる。テスト材料としてHfO₂を用いてlow-k上および内部の原子層蒸着メカニズムを研究した。徹底的解析結果は,HfCl₄前駆体が44nm薄型low-k膜を通して細孔内に均一に浸透することを第一に示した。第二に,細孔が前駆体サイズに対する機能としてシールされる条件があることを示した。すなわち細孔がHfCl₄に対し近づきにくくなり,それより小さなH₂O分子が細孔に浸透した。これら解析から,蒸着モデルを提案した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 多孔質体 ,  *誘電体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  化学吸着 ,  *前駆体 ,  細孔 ,  モデル
準シソーラス用語： *ALD【蒸着】 ,  プロセスモデル ,  *low-k膜 ,  多孔質材

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  吸着剤  (YB03000W) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質 ,  low-k膜 ,  ALD ,  前駆体 ,  化学吸着