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J-GLOBAL ID：201302216355787688   整理番号：13A1737862

最適化製造プロセスを用いたKaバンド応用のための高電力密度AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT

High power density AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs using an optimised manufacturing process for Ka-band applications

著者 (3件)： CHO Sung-jin ,  WANG Cong ,  KIM Nam-young
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 113  ページ： 11-19  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁性(SI)GaAs基板上の高品質AlGaAs/InGaAs/GaAsシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(PHEMT)を用いて,Kaバンド周波数用高出力電力性能を達成するために,0.1μm T型ゲートの新しい製造プロセスを調査する。ゲート製造プロセスは,DC性能及びRF性能と密接な関係があるので,最も重要なプロセスである。PHEMTデバイスのゲート性能を改善するために,種々な材料とプロセスへのアプローチを調査した。即ち,そのアプローチは,広いゲートリセス,電子ビームリソグラフィーによる二重露光,及び,プラズマ支援化学気相成長法(PECVD)に基づく低損傷二重ゲートパッシベーション法である。電流コラプスの影響に対する感度を低減するために,PHEMTの電気特性と上部及び下部のゲート支持パッシベーション膜との関係を調べる。オーミックコンタクト性能を改善するために,450°Cで30秒からの温度範囲で急速熱アニーリング(RTA)プロセスを用いて,AuGe/Ni/Au(200/30/120nm)のオーミックコンタクト金属化スキームを試験した。この新しい製造プロセスを用いて,以下に示す特性の0.1μmゲート長のPHEMTを実証する。その特性とは,最大ドレイン電流密度が680mA/mm,ピーク相互コンダクタンスが500mS/mm,ユニティ利得カットオフ周波数(F_T)が56GHz,そして,最大発振周波数(f_MAX)が84GHzである;Kaバンドパワー性能に含まれるものとして,2.4W/mmの出力電力密度,44.6%の電力付加効率(PAE)がある。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *HEMT ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  エネルギー密度 ,  電力 ,  *半導体プロセス ,  *周波数帯 ,  衛星通信 ,  電子ビームリソグラフィー ,  プラズマCVD ,  RTA【熱処理】 ,  相互コンダクタンス ,  遮断周波数 ,  電力付加効率 ,  素子構造
準シソーラス用語： PHEMT ,  カットオフ周波数 ,  プラズマ支援化学蒸着法 ,  半導体製造プロセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 最適化 ,  製造プロセス ,  Kaバンド ,  応用 ,  高電力密度 ,  AlGaAs ,  InGaAs ,  GaAs ,  PHEMT