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J-GLOBAL ID：201302219094886674   整理番号：13A1769213

ケイ素上のパターン形成自己触媒GaAsナノワイヤ成長の機会と落し穴

Opportunities and pitfalls in patterned self-catalyzed GaAs nanowire growth on silicon

著者 (3件)： GIBSON Sandra J (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  BOULANGER Jonathan P (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  LAPIERRE Ray R (McMaster Univ., Ontario, CAN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 10  ページ： 105025,1-9  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ケイ素 ,  パターン形成 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ケイ素 ,  パターン形成 ,  自己触媒 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  機会