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J-GLOBAL ID：201302220199806844   整理番号：13A1087470

塩化コリン-マロン酸ディープ共晶溶媒(DES)を用いたエッチ後残渣除去

Post-etch residue removal using choline chloride-malonic acid deep eutectic solvent (DES)

著者 (3件)： TAUBERT Jenny (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arizona, Tucson, AZ, USA) ,  KESWANI Manish (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arizona, Tucson, AZ, USA) ,  RAGHAVAN Srini (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arizona, Tucson, AZ, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 102  ページ： 81-86  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DUVフォトレジストで被覆した銅のCF₄/O₂プラズマエッチングによって生じる残渣を除去するための,1:1のモル比の塩コリン(CC)とマロン酸(MA)の共晶混合物系の効果を評価した。40および70°Cで,共晶組成での液体中で浸漬洗浄を行った。残渣除去率を走査型電子顕微鏡法を用いて選別し,X線光電子分光法と電気化学インピーダンス分光法測定を用いて検証した。本論文に示した結果は,塩化コリン-マロン酸共晶はエッチ後残渣の除去に効果的で,ライン洗浄処方の最終段階として機能する可能性をもつことを示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 脂肪族アルコール ,  脂肪族カルボン酸 ,  共晶 ,  *溶媒 ,  洗浄剤 ,  *フォトレジスト ,  *フォトリソグラフィー ,  効果 ,  エッチング ,  半導体プロセス ,  スペクトロスコピー ,  ジカルボン酸 ,  脂肪族アミン ,  第四アンモニウム ,  アミノアルコール
準シソーラス用語： BEOL ,  洗浄効果

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： マロン酸 ,  塩化コリン

タイトルに関連する用語 (7件)： 塩化コリン ,  マロン酸 ,  共晶 ,  溶媒 ,  DES ,  エッチ ,  残渣