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J-GLOBAL ID：201302229692239220   整理番号：13A0252739

Ni誘起横方向結晶化過程でのドープした非晶質シリコン薄膜への電界による影響

Effect of electric field on doped amorphous silicon thin films during Ni induced lateral crystallization

著者 (3件)： AHN Ji-su (Nano Device Lab., Sejong Univ., 98 Gunja-dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, KOR) ,  KIM Deok-kee (Nano Device Lab., Sejong Univ., 98 Gunja-dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, KOR) ,  JOO Seung-ki (School of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., San 56-1, Shinrim-Dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, KOR)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 93  ページ： 233-236  発行年： 2013年02月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni誘起横方向結晶化過程でのドープした非晶質シリコン薄膜における成長と微細構造への電界による影響を調べた。印加電界により,n型とp型ドープした試料は各々カソードとアノード方向により高い成長速度を示した。n型とp型ドープした試料の微細構造は各々双方向針状ネットワークと一方向並行構造を示した。p型ドープした試料での電界効果の逆転は帯電した空孔の移動で説明した。p型ドープした試料は電界下で,そのより長い長さ,より広い幅及びより高い成長速度でポリ-Si TFTに利用可能であった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 基板 ,  ガラス ,  バッファ層 ,  酸化ケイ素 ,  プラズマCVD ,  ケイ素 ,  *アモルファスシリコン ,  ジシラン ,  *LPCVD ,  ホスフィン ,  *ドーピング ,  半導体 ,  ボラン ,  *電場 ,  *半導体薄膜 ,  *結晶化 ,  成長速度 ,  結晶成長 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： N型シリコン ,  P型シリコン ,  TFT【トランジスタ】 ,  アモルファスケイ素 ,  *シリコン薄膜 ,  リン化水素 ,  結晶成長速度 ,  電界

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ni ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化 ,  過程 ,  ドープ ,  非晶質 ,  シリコン薄膜 ,  電界