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J-GLOBAL ID：201302229930068871   整理番号：13A1165617

GaAsの負性電子親和力表面形成プロセスの表面光吸収によるin situ観測

In situ Observation of Formation Process of Negative Electron Affinity Surface of GaAs by Surface Photo-Absorption

著者 (8件)： HAYASE Kazuya (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  NISHITANI Tomohiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NISHITANI Tomohiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SUZUKI Katsunari (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  IMAI Hironobu (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Jun-ichi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  NAMBA Daiki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  MEGURO Takashi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 6,Issue 2  ページ： 06GG05.1-06GG05.3  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Yo-Yo法の間のp-GaAs上の負性電子親和力(NEA)表面のCs及びO₂交互による形成を調査するために表面光吸収(SPA)を用いた。SPAスペクトルは,最初のCsした。これは,最初のCsステップの間に表面が形成された後,表層構造が変わらなかったことを表しており,以前に提案されたモデルと異なり,GaAs表面の2Cs吸着サイトが,ありうることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子親和力 ,  *光吸収 ,  *表面分析 ,  セシウム ,  酸素 ,  結合部位 ,  吸着 ,  *ヒ化ガリウム ,  電子源 ,  光反射 ,  ヒ素
準シソーラス用語： 表面光吸収 ,  吸着サイト

分類 (2件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (31件)：

• 1) T. Nishitani, M. Tabuchi, Y. Takeda, Y. Suzuki, K. Motoki, and T. Meguro: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 06FF02.
• 2) K. Togawa, T. Nakanishi, T. Baba, F. Furuta, H. Horinaka, T. Ida, Y. Kurihara, H. Matsumoto, T. Mizuta, S. Okumi, T. Omori, C. Suzuki, Y. Takeuchi, K. Wada, and M. Yoshioka: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 414 (1998) 431.
• 3) T. Nishitani, M. Tabuchi, K. Motoki, T. Takashima, A. Era, and Y. Takeda: J. Phys.: Conf. Ser. 298 (2011) 012010.
• 4) D.T. Pierce, R.J. Celotta, G.C. Wang, W.N. Unertl, A. Galejs, C.E. Kuyatt, and S.R. Mielczarek: Rev. Sci. Instrum. 51 (1980) 478.
• 5) K. Hayase, T. Nishitani, and T. Meguro: Denki Gakkai Ronbunshi C 132 (2012) 1261 [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  電子親和力 ,  表面形成 ,  プロセス ,  表面光吸収 ,  観測