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J-GLOBAL ID：201302231962203511   整理番号：13A1283219

MBE成長Ga₂O₃およびそのパワー素子応用

MBE grown Ga₂O₃ and its power device applications

著者 (7件)： SASAKI Kohei (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), 7 Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0075, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 591-595  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体パワー素子開発研究の一環として,本研究では,n型Ga₂O₃薄膜を,MBE成長によりβ-Ga₂O₃(010)基板上に調製し,素子特性を調べた。その結果に基づいて,1)Snドーピングの変化によって,エピタキシャル層のキャリア密度を,10¹⁶~10¹⁹の範囲で変化させることができること,2)β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル層上に,Schottky障壁ダイオードおよび金属-半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を初めて実証したこと,などを記した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *酸化ガリウム ,  *半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  半導体素子 ,  *MESFET ,  結晶方位 ,  光学顕微鏡法 ,  干渉顕微鏡 ,  ドーピング ,  スズ ,  濃度依存性 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  RHEED ,  キャリア密度 ,  温度依存性 ,  微分干渉顕微鏡
準シソーラス用語： Nomarski型微分干渉顕微鏡 ,  パワー素子

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MBE成長 ,  Ga2O3 ,  パワー素子 ,  応用