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J-GLOBAL ID：201302233341815885   整理番号：13A1513840

真空アニール法がAl₂O₃/GaSb MOS界面に与える影響

Effect of Vacuum Annealing on Al₂O₃/GaSb MOS Interfaces

著者 (8件)： 後藤高寛 (東京理大 大学院) ,  後藤高寛 (産業技術総合研) ,  藤川紗千恵 (東京理大 大学院) ,  藤代博記 (東京理大 大学院) ,  小倉睦郎 (産業技術総合研) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  前田辰郎 (東京理大 大学院) ,  前田辰郎 (産業技術総合研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 176(ED2013 37-49)  ページ： 37-42  発行年： 2013年08月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた。GaSb/GaAs界面にミスフィット転位列が生じることにより,GaSb成長温度570°Cで,表面にステップ-テラス構造を有する極めて良好な緩和GaSb結晶層を得た。n型ドーパントとしてTeを添加したGaSbエピ基板で電子キャリア移動度2400cm²/Vsecを達成した。このGaSbエピ基板を用いて,ゲート絶縁膜堆積前に真空アニールを施した後,ALD法によりAl₂O₃/GaSb MOS構造を作製し,容量-電圧(C-V)特性評価から真空アニールがAl₂O₃/GaSb MOS特性に与える影響を調べた。昇温脱離ガス分析から,真空アニールによって,GaSbの表面酸化膜が熱脱離することを確認した。真空アニール300°Cで酸化膜除去後,引き続き300°CでAl₂O₃を形成したMOS構造において,ピニングされていない良好なC-V特性を得た。さらに,真空アニールを350°Cで施したサンプルでは,界面準位密度D_it~4×10¹²cm^-2eV^-1を達成した。したがって,真空アニール法によるin-situ GaSb自然酸化膜除去は,Al₂O₃/GaSb界面の特性向上に有効であることが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  *アンチモン化ガリウム ,  エピタクシー ,  *真空処理 ,  酸化 ,  熱脱着 ,  昇温脱離 ,  *表面準位 ,  *焼なまし ,  酸化アルミニウム ,  *MOS構造 ,  MOCVD ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  バッファ層 ,  不整合転位 ,  応力緩和 ,  ドーパント ,  N型半導体 ,  テルル ,  キャリア移動度 ,  容量電圧特性 ,  表面酸化 ,  ヒ化ガリウム基板 ,  電子移動度
準シソーラス用語： GaSb ,  エピタキシャル成長 ,  *界面準位 ,  熱脱離

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空 ,  アニール ,  Al2O3 ,  GaSb ,  MOS ,  界面