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J-GLOBAL ID：201302236750404110   整理番号：13A0026542

n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化

Mg acceptor activation in p-GaN of the structure with n-GaN surface

著者 (10件)： 桑野侑香 (名城大 理工) ,  加賀充 (名城大 理工) ,  森田隆敏 (名城大 理工) ,  山下浩司 (名城大 理工) ,  南川大智 (名城大 理工) ,  竹内哲也 (名城大 理工) ,  岩谷素顕 (名城大 理工) ,  上山智 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 327(ED2012 65-92)  ページ： 81-85  発行年： 2012年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： p-GaNでは,Mgアクセプタと水素の結合を切断し,電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方,n-GaN内には原子状水素が存在できないことが報告されている。このことから,n-GaN表面層を有する構造内のp-GaNでは,水素の脱離が抑制されてMgの活性化が阻害される可能性がある。本研究では,n-GaN表面層を有する構造内のp-GaNおよびトンネル接合p++-GaInNのMg活性化の検討を行った。アニール工程を含む素子形成工程の最適化を行い,電流注入による電気的特性の評価を行った。その結果,表面にn-GaNが存在すると,表面からのMg活性化が阻害され,p-GaN層が露出した側壁から横方向に活性化が進むことを新たに見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： N型半導体 ,  *窒化ガリウム ,  表層 ,  P型半導体 ,  *マグネシウム ,  *アクセプタ ,  *活性化 ,  *トンネル接合 ,  化合物半導体 ,  水素 ,  *焼なまし ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  拡散係数 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  時間依存性 ,  最適化
準シソーラス用語： 窒化物半導体 ,  GaInN

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  表面層 ,  Mg ,  アクセプタ ,  活性化