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J-GLOBAL ID：201302236810723732   整理番号：13A1418950

緑-黄色InGaN/GaN量子井戸の局所構造への内部電場の波長依存性

Wavelength Dependence of Internal Electric Field on Local Structure of Green-Yellow InGaN/GaN Quantum Wells

著者 (4件)： HWANG Jong-Il (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HASHIMOTO Rei (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAITO Shinji (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NUNOUE Shinya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JL13.1-08JL13.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶品質及び内部電場(F₀)における効果を証明するために,InGaN層を障壁層に埋め込んだ,緑-黄色InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)に関する光ルミネセンス(PL)測定を行った。時間分解PL及びPLの励起電力依存性の両方の分析から,PL強度及び減衰時間が,F₀のわずかな変化の波長依存性ではあるけれども,InGaN中間層をもつMQWに関して増倍されることを明らかにした。これは,InGaN中間層が,量子閉じ込めStark効果よりむしろInGaN量子井戸の劣化を抑制することを示し,光学的特性を,局所構造及び成長条件の最適化を通して結晶品質の向上により改善できることを示唆した。中間層を使用した発光ダイオードから,552nmにおいて,20mAで10.1mWの出力電力を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  可視光 ,  *発光 ,  品質 ,  電場 ,  *被覆層 ,  埋込み【挿入】 ,  *光ルミネセンス ,  劣化 ,  構造
準シソーラス用語： 黄色光 ,  局所構造 ,  結晶品質 ,  障壁層 ,  成長条件 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  内部電場 ,  緑色光

分類 (4件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

引用文献 (15件)：

• Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai: J. Phys. D 43 (2010) 354002.
• M. H. Crawford: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15 (2009) 1028.
• T. Hikosaka, T. Shioda, Y. Harada, K. Tachibana, N. Sugiyama, and S. Nunoue: Phys. Status Solidi C 8 (2011) 2016.
• T. Shioda, H. Yoshida, K. Tachibana, N. Sugiyama, and S. Nunoue: Phys. Status Solidi A 209 (2012) 473.
• T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L382.

タイトルに関連する用語 (8件)： 緑 ,  黄色 ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  局所構造 ,  内部電場 ,  波長依存性