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J-GLOBAL ID：201302237437478451   整理番号：13A1283100

分子ビームエピタクシーによる希釈BGaP合金の成長

Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy

著者 (5件)： URAKAMI N. (Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...) ,  FUKAMI F. (Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...) ,  SEKIGUCHI H. (Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...) ,  OKADA H. (Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...) ,  WAKAHARA A. (Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 96-99  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： B源として電子ビーム蒸着システムを装備した固体ソース分子線エピタクシー(MBE)による希薄BGaP合金の結晶成長を,成長温度およびV/III比の成長条件を変化させて検討した。BGaP合金のB組成は,成長温度を下げIII/V比を増加させると増加した。原子価力場モデルによる計算で示される様にマトリクス中の結合は大きく歪んでいるため,GaPマトリックスへのBの取り込みは,他のIII族原子(Al又は号)に比べて困難である。B-P結合を形成し保存する可能性は成長温度の低下とV/III比の増加により増加した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *リン化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ホウ素化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  *基板温度 ,  温度依存性 ,  *化学組成 ,  *歪 ,  モデル ,  原子価
準シソーラス用語： 固体ソース分子線エピタクシー ,  力場モデル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子ビームエピタクシー ,  希釈 ,  成長