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J-GLOBAL ID：201302237728545768   整理番号：13A1777440

Mg₂Siの電子物性と熱電特性に対する二軸歪の影響

Effect of Biaxial Strain on Electronic and Thermoelectric Properties of Mg₂Si

著者 (3件)： BALOUT Hilal (Aix-Marseille Univ. and CNRS, FST St Jerome, Madirel, UMR 7246, Av. Escadrille Normandie-Niemen, 13397, Marseille ...) ,  BOULET Pascal (Aix-Marseille Univ. and CNRS, FST St Jerome, Madirel, UMR 7246, Av. Escadrille Normandie-Niemen, 13397, Marseille ...) ,  RECORD Marie-Christine (Aix-Marseille Univ. and CNRS, FST St Jerome, IM2NP, UMR 7334, Av. Escadrille Normandie-Niemen, 13397, Marseille ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 42  号： 12  ページ： 3458-3466  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二軸歪ケイ化マグネシウムMg₂Siの電子物性と熱電特性を,第一原理計算と準古典的Boltzmann理論を使って解析した。歪んだ状態で,バンド端近くの電子軌道の縮退が除かれ,軌道バンドを曲げられ,エネルギーギャップが接近した。これらの特性を歪上への電子密度移動を考慮して合理的に説明した。電気伝導率は二軸歪と共に増加するが,Seebeck係数と力率(PF)は共にこの傾向に従わない。これらの熱電特性の進展の詳細な解析について,面内および面上成分について報告した。興味深いことに,強い歪を与えたときPFの最大値は低い温度の方にシフトした。Copyright 2013 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *歪 ,  *物理的性質 ,  電気特性 ,  *熱電効果 ,  計算 ,  Boltzmann方程式 ,  電気伝導率 ,  電子密度 ,  エネルギーギャップ ,  ケイ化物 ,  マグネシウム化合物 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  *ケイ化マグネシウム ,  第一原理計算 ,  *電子物性 ,  熱電特性 ,  *二軸ひずみ

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子物性 ,  熱電特性 ,  二軸歪