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J-GLOBAL ID：201302238761493745   整理番号：13A0794458

Heイオン照射チャンネルによる双ゲート・グラフェン・トランジスターの静電的可逆極性:再構成可能なCMOS応用に向けて

Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel: Toward Reconfigurable CMOS Applications

著者 (7件)： NAKAHARAI Shu (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  IIJIMA Tomohiko (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OGAWA Shinich (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI Shingo (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SATO Shintaro (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YOKOYAMA Naoki (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 72-75  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層グラフェンにはバンドギャップが存在しないことが,高速低電力LSIトランジスターのチャンネル材料として使うには致命的な欠陥であった。ここでは,Heイオンビームで照射したグラフェン・チャンネルによるトランジスターが,最大380meVのトランスポート・ギャップを持つことを見出した。このチャンネルを使った双ゲート・トランジスターを作製し,200Kにおいて10³のオンオフ比を得た。このデバイスは双ゲート間にチャンネル領域を持ち,トランジスターのn型かp型かの極性は,ゲートのどちらかのバイアス極性をフリップするだけで静電的に反転できる。この新デバイスは,全く新しい回路アーキテクチャーの静電的に再構成可能なCMOS LSIへの道を開く可能性がある。

シソーラス用語： *静電気 ,  *極性 ,  イオン ,  ヘリウム化合物 ,  *イオン照射 ,  *チャネル ,  グラファイト ,  *炭素材 ,  *FET【トランジスタ】 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  *CMOS構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  バンドギャップ ,  LSI【IC】 ,  消費電力 ,  PIN接合 ,  比率 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 可逆極性 ,  ヘリウムイオン ,  デュアルゲート ,  極性反転 ,  オンオフ比

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： He ,  イオン ,  照射チャンネル ,  ゲート ,  グラフェン ,  トランジスター ,  逆極性 ,  再構成 ,  CMOS ,  応用