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J-GLOBAL ID：201302239627460250   整理番号：13A1292365

光起電力応用のためのSn蒸気輸送を用いたCu₂ZnSnS₄薄膜の結晶粒成長

Grain Growth in Cu₂ZnSnS₄ Thin Films Using Sn Vapor Transport for Photovoltaic Applications

著者 (8件)： TOYAMA Toshihiko (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KONISHI Takafumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SEO Yuichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUJI Ryotaro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAI Kengo (Akashi National Coll. Technol., Hyogo, JPN) ,  NAKASHIMA Yuto (Akashi National Coll. Technol., Hyogo, JPN) ,  OKAMOTO Hiroaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUTSUMI Yasuo (Akashi National Coll. Technol., Hyogo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 7  ページ： 075503.1-075503.4  発行年： 2013年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn蒸気輸送(TVT)を用いて成長させた結晶粒を含むCu₂ZnSnS₄薄膜を調べた。構造特性化は結晶粒径が膜厚と同等かそれ以上(1~4μm)で,TVT無しの成長の場合(60nm)よりも有意に大きいことを明らかにした。さらに,相分離は検出しなかった。光熱回折分光は光吸収係数がサブギャップ領域で非常に低い(7×10¹cm^-1)ことを明らかにし,欠陥形成の抑制を示唆した。最後に,TVT処理した薄膜を太陽電池の吸収体に用いて,6.9%の変換効率を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *薄膜成長 ,  *太陽電池 ,  吸収体 ,  光吸収 ,  スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  光起電力効果 ,  電子顕微鏡観察 ,  光吸収スペクトル ,  XANES ,  結晶粒 ,  吸収係数 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： X線回折パターン ,  光吸収係数 ,  電流密度電圧特性 ,  変換効率

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (25件)：

• International Energy Outlook 2011. http://www.eia.gov/forecasts/ieo/pdf/0484.pdf
• KATAGIRI, H. Proc. 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC), 2011. 2011, 003516
• MITZI, D. B. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2011, 95, 1421
• SIEBENTRITT, S. Prog. Photovoltaics. 2012, 20, 512
• SHOCKLEY, W. J. Appl. Phys. 1961, 32, 510

タイトルに関連する用語 (8件)： 光起電力 ,  応用 ,  Sn ,  蒸気 ,  輸送 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  結晶粒成長