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J-GLOBAL ID：201302239714366243   整理番号：13A1279612

三次元積層大容量メモリの開発およびそのシングルイベント効果特性の測定

Development of 3 dimensionally-stacked mass memory and measurement of its single event effects characteristics

著者 (6件)： RYU K. (KAIST, KOR) ,  PARK M.Y. (KAIST, KOR) ,  CHAE J.S. (KAIST, KOR) ,  UCHIHORI Y. (NIRS) ,  KITAMURA H. (NIRS) ,  TAKASHIMA T. (JAXA)
資料名： NIRS-M (National Inst. of Radiological Sciences)  (NIRS-M (National Inst. of Radiological Sciences))
号： 251  ページ： 265-266  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： Z0881A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 大容量メモリ ,  三次元 ,  *DRAM ,  重イオン照射 ,  線エネルギー付与 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  炭素12 ,  ケイ素同位体 ,  アルゴン同位体 ,  鉄同位体 ,  キセノン同位体 ,  断面積
準シソーラス用語： *SDRAM ,  *SEE【事象】 ,  SEL【シングルイベント】 ,  アルゴン40 ,  キセノン132 ,  ケイ素28 ,  鉄56

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 大容量メモリ ,  開発 ,  シングルイベント効果