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J-GLOBAL ID：201302242014163636   整理番号：13A1087313

半導体上のエピタキシャル強誘電酸化物-負性キャパシタンスデバイスへの手段

Epitaxial ferroelectric oxides on semiconductors- A route towards negative capacitance devices

著者 (6件)： DROOPAD R. (Dept. of Physics, Texas State Univ., San Marcos, TX 78666, USA) ,  CONTRERAS-GUERRERO R. (Dept. of Physics, Texas State Univ., San Marcos, TX 78666, USA) ,  VEAZEY J.p. (Dept. of Physics, Univ. of Pittsburgh, PA 15260, USA) ,  QIAO Q. (Dept. of Physics, Univ. of Illinois - Chicago, Chicago, IL 60607, USA) ,  KLIE R.f. (Dept. of Physics, Univ. of Illinois - Chicago, Chicago, IL 60607, USA) ,  LEVY J. (Dept. of Physics, Univ. of Pittsburgh, PA 15260, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 109  ページ： 290-293  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーを用いて,Siおよび化合物半導体両基板上にエピタキシャル強誘電BaTiO₃層を堆積した。その膜は酸素分子を用いて成長され,X線回折測定から決定されるようにc軸方位であることが分かった。高分解能透過型電子顕微鏡法は,酸化物とGaAsの間の界面は構造欠陥が無いが,非晶質SiO₂層の厚い層が酸化物とSiの界面に存在することを示した。圧電応答力顕微鏡法と分光法を用いてBaTiO₃膜の強誘電特性を測定した。BTO膜は~5pm/Vの圧電応答振幅,V_c=1~2Vの保磁電圧,およびTEM観察と一致する成長方向に沿った成長したままの分極を示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 半導体 ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  チタン酸バリウム ,  *MBE成長 ,  素子構造 ,  *容量電圧特性 ,  境界層 ,  電圧依存性 ,  分極 ,  *固体素子 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  キャパシタンス ,  界面層 ,  非晶質シリカ ,  負性キャパシタンス ,  分子線エピタクシー

分類 (3件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  酸化物 ,  キャパシタンス