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J-GLOBAL ID：201302246318797530   整理番号：13A1087320

高帯域幅積層DRAMによる電力効率のよいLSIデバイス用の微細ピッチCu再配置配線とSnCuマイクロバンピングのプロセス集積

Process integration of fine pitch Cu redistribution wiring and SnCu micro-bumping for power efficient LSI devices with high-bandwidth stacked DRAM

著者 (10件)： EZAWA Hirokazu (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  EZAWA Hirokazu (The Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda Univ., JPN) ,  TOGASAKI Takashi (Toshiba Corp., Corporate Manufacturing Engineering Centre, JPN) ,  MIGITA Tatsuo (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  YAMASHITA Soichi (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  INOHARA Masahiro (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  KOSHIO Yasuhiro (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  FUKUDA Masatoshi (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  MIYATA Masahiro (Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN) ,  TATSUMI Kohei (The Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda Univ., JPN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 103  ページ： 22-32  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,大規模で高帯域幅DRAMチップを積層した高性能プロセッサを製作するプロセス集積について報告した。12インチDRAMウエハ上に10μmピッチのCu再配置配線を作り,メモリインタフェイスの多数のI/O用に40μmピッチSnCuバンプが形成されるAlボンディングパッドを再配置した。250°C以下で架橋可能なフェノール-メラミン系樹脂膜を使って記憶保持歩留りの悪化を防ぎ,同時にCu配線を絶縁し,ウエハ反りを低減し微細ピッチリソグラフィーを可能にした。チップとチップの接続プロセスでは,ロジックチップとDRAMチップを両方のチップ上のSnCuマイクロバンプの量産用リフローボンディングにより1μm以下の精度で相互接続した。これによりはんだバンプの自己整合効果を明らかにした。パッケージングした2チップスタックに対する信頼性ストレス後,故障は見られなかった。本プロセス集積法は幾つかの市販用LSIデバイスを生産する量産製造ラインで品質認証された。そしてスルーシリコンビア技術を使ったより多くのチップを集積した次世代デバイスで使用可能である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *集積回路 ,  三次元 ,  DRAM ,  LSI【IC】 ,  移設 ,  *バンプ ,  保持 ,  フォトリソグラフィー ,  リフロソルダリング ,  積層構造 ,  相互接続 ,  論理素子 ,  *回路パターン形成 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： DRAMチップ ,  *マイクロバンプ ,  ロジック素子 ,  再配置 ,  *三次元集積回路 ,  微細ピッチ技術

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高帯域幅 ,  DRAM ,  電力効率 ,  LSI ,  微細ピッチ ,  Cu ,  再配置 ,  プロセス ,  集積