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J-GLOBAL ID：201302247575577768   整理番号：13A1087224

Si上の高k/メタルゲート積層におけるAl遠隔掃気による二酸化シリコン界面層の4.6ÅEOTまでの低減

Reduction of silicon dioxide interfacial layer to 4.6Å EOT by Al remote scavenging in high-κ/metal gate stacks on Si

著者 (22件)： NICHAU A. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  NICHAU A. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  SCHAEFER A. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  SCHAEFER A. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  KNOLL L. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  KNOLL L. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  WIRTHS S. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  WIRTHS S. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  SCHRAM T. (imec, 3001 Leuven, BEL) ,  RAGNARSSON L.-a. (imec, 3001 Leuven, BEL) ,  SCHUBERT J. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  SCHUBERT J. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  BERNARDY P. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  BERNARDY P. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  LUYSBERG M. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  LUYSBERG M. (Peter Gruenberg Inst. 5 and Ernst Ruska-Centre (ER-C) for Microscopy and Spectroscopy with Electrons ...) ,  BESMEHN A. (Central Div. for Engineering, Electronics and Analytics (ZEA-3), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  BREUER U. (Central Div. for Engineering, Electronics and Analytics (ZEA-3), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  BUCA D. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  BUCA D. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU) ,  MANTL S. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI9-IT), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  MANTL S. (JARA - Fundamentals of Future Information Technologies, DEU)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 109  ページ： 109-112  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続するデバイススケーリングは等価酸化膜厚(EOT)を1nm以下に減らすことを要求する。HfO₂ベースゲート積層に対して,界面SiO₂がEOTスケーリングを制限する。低EOTは界面層(IL)がその物理的限界である4Åに減らせる時のみ達成可能である。このように薄いEOTは,SiO₂を減らすためにゲート積層内で酸化還元反応が行われるならば達成可能である。本研究は,ILを減らし低EOT値を達成するためにTiNメタル電極と組み合わせたAl層の使用を報告する。達成した最も小さいEOTは4.6Åである。しかしながら,掃気プロセスがAlデポジション後のサーマルバジェットに強く依存していることが判明した。提示したプロセスはAlデポジション前の標準メタル挿入ポリSiフロー(MIPS)を採用しているが,IL再成長を制御する選択肢にもなる可能性がある。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 誘電体 ,  ゲート【半導体】 ,  *酸化ハフニウム ,  膜厚 ,  *二酸化ケイ素 ,  *境界層 ,  酸化膜 ,  酸化還元反応 ,  掃気 ,  容量電圧特性 ,  X線光電子分光法 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *EOT ,  XPS ,  メタルゲート ,  二酸化シリコン ,  界面層 ,  高k誘電体 ,  等価酸化膜厚

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  メタルゲート ,  Al ,  掃気 ,  二酸化シリコン ,  界面層 ,  EOT