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J-GLOBAL ID：201302247896051318   整理番号：13A0727308

高機能磁性薄膜作製技術の開発と磁気デバイスへの応用

Development of Thin Film Fabrication Processes and Teir Application to Magnetic Devices

著者 (1件)： 中川茂樹 (東京工大 大学院)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 8  号： 2  ページ： 107-114  発行年： 2013年04月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板がプラズマ粒子からの荷電粒子による直接の損傷を受けることのない対向ターゲット式スパッタ法(FTS)を用い,その特徴的な性質を生かすことにより,特徴のある磁気記録媒体や高周波素子,さらにスピントロニクス用途の磁性薄膜を開発した。CoPtCr-SiO₂グラニュラーFeCoB型記録層薄膜において,磁性粒子をRu中間層で垂直配向させ,軟磁性裏打ちをして,記録密度45Gbits/inch²を得た。またFeCoB軟磁性薄膜では残留内部応力を付与させて異方性磁界を持たせることにより,磁気共鳴周波数9.2GHzの高周波磁性薄膜を得た。またTerfenol-Dを用いた応力アシスト型磁化反転垂直磁化膜を作製した結果と,希土類-遷移金属垂直磁化膜とFe/MgO/Fe磁気接合を用いた垂直磁化磁気トンネル接合p-MTJを作製した結果とを述べた。さらに極薄のL1₀規則合金型FePt垂直磁化(100)配向膜を得た結果を述べた。

シソーラス用語： *スパッタリング装置 ,  磁気記録材料 ,  *磁性薄膜 ,  スピントロニクス ,  トンネル接合 ,  *磁性部品 ,  *スパッタ蒸着 ,  記憶媒体 ,  電気回路 ,  スパッタリング ,  *ターゲット ,  軟磁性材料 ,  下層 ,  合金 ,  磁気歪材料 ,  垂直磁化 ,  金属間化合物 ,  鉄合金 ,  白金含有合金
準シソーラス用語： 高周波回路 ,  *磁気デバイス ,  磁気トンネル接合 ,  磁気記録媒体 ,  プラズマスパッタリング ,  *対向ターゲット ,  軟磁性下地層 ,  Terfenol-D ,  L10型金属間化合物

分類 (3件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (30件)：

• Review Articles on Technology for Magnetic Film Fabrication I. J. Magn. Soc. Japan. 2005, 29, 844
• Review Articles on Technology for Magnetic Film Fabrication II. J. Magn. Soc. Japan. 2005, 29, 1015
• NAOE, M. IEEE Trans. Magn. 1980, MAG-16, 646
• NIIMURA, Y. J. Appl. Phys. 1987, 61, 3152
• NAKAGAWA, S. IEEE Trans. Magn. 1990, MAG-26, 106

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁性薄膜 ,  作製 ,  開発 ,  磁気デバイス ,  応用