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J-GLOBAL ID：201302248657854839   整理番号：13A0339155

LSI多層配線システム中の銅/絶縁層界面におけるサブグレインスケール付着強度の結晶方位依存性

著者 (21件)： 大浦由香 (名古屋工大) ,  宍戸信之 (名古屋工大) ,  宍戸信之 (科学技術振興機構) ,  神谷庄司 (名古屋工大) ,  神谷庄司 (科学技術振興機構) ,  佐藤尚 (名古屋工大) ,  佐藤尚 (科学技術振興機構) ,  小岩康三 (名古屋工大) ,  小岩康三 (科学技術振興機構) ,  西田政弘 (名古屋工大) ,  西田政弘 (科学技術振興機構) ,  杉山裕子 (名古屋工大) ,  杉山裕子 (科学技術振興機構) ,  大宮正毅 (科学技術振興機構) ,  大宮正毅 (慶応大) ,  鈴木貴志 (富士通研) ,  中村友二 (富士通研) ,  鈴木俊明 (科学技術振興機構) ,  鈴木俊明 (日本電子) ,  野久尾毅 (科学技術振興機構) ,  野久尾毅 (日本電子)
資料名： 日本機械学会M&M材料力学カンファレンス(CD-ROM)  (日本機械学会M&M材料力学カンファレンス講演論文集(CD-ROM))
巻： 2012  ページ： ROMBUNNO.OS1901  発行年： 2012年 
JST資料番号： L0191B  ISSN： 2424-2845  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,配線の微細化・積載化が盛んであるLSI多層配線構造体において,その局所付着強度は配線の微視結晶構造に依存すると考えられる。本研究では集束イオンビームと走査型電子顕微鏡からなる複合ビーム装置にナノインデンタを組み合わせることで100nmサイズの円柱型試験片を作製し,配線の平均結晶粒寸法以下での銅/絶縁層界面せん断型はく離試験を行った。さらに,後方電子線散乱回折法によってはく離面の銅の結晶方位を確認し,付着強度の結晶方位依存性を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *多層配線 ,  LSI【IC】 ,  *付着強さ ,  銅 ,  層 ,  *結晶方位 ,  依存性
準シソーラス用語： 絶縁層

分類 (1件)： 材料力学一般  (HC01000U)

タイトルに関連する用語 (8件)： LSI ,  多層配線 ,  銅 ,  絶縁層 ,  界面 ,  付着強度 ,  結晶 ,  方位依存性