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J-GLOBAL ID：201302248772874142   整理番号：13A0311942

電場強化した金属有機化学蒸着によるInNの逆六角形ピラミッド成長

Inverted Hexagonal-Pyramid Growth of InN by Electric-Field Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (2件)： OTA Yuichi (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  INUSHIMA Takashi (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 1,Issue 1  ページ： 011001.1-011001.4  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場強化,極性-制御 金属-有機化学蒸着によるサファイヤ基板上のInNの単一領域成長について報告した。薄膜成長の反対方向に電場を適用したとき,InNは,In-極性表面で逆六角形ピラミッド形状に成長する。 電場下でIn-極性の単一領域InNの急成長を説明する成長モデルを提示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電場 ,  *化学蒸着 ,  *窒化インジウム ,  *ピラミッド形分子 ,  成長 ,  薄膜 ,  極性 ,  有機金属化合物

分類 (1件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

引用文献 (16件)：

• 1) S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, Heidelberg, 1997).
• 2) T. Inushima, V. V. Mamutin, V.A. Vekshin, S.V. Ivanov, T. Sakon, M. Motokawa, and S. Ohoya: J. Cryst. Growth 227-228(2001)481.
• 3) T. Inushima, M. Higashiwaki, and T. Matsui: Phys. Rev. B 68(2003)235204.
• 4) T. Inushima, D.K. Maude, H. Lu, W.J. Schaff, T. Iizuka, S. Kimura, A. Yamamoto, and K. Fukui: J. Phys. Soc. Jpn. 81(2012)044704.
• 5) M. Stutzmann, O. Ambacher, M. Eichhoff, U. Karrer, A.L. Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwig, R. Dimitrov, P.J. Schuck, and R.D. Grober: Phys. Status Solidi B 228(2001)505.

タイトルに関連する用語 (7件)： 電場 ,  強化 ,  金属有機化学蒸着 ,  InN ,  六角形 ,  ピラミッド ,  成長