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J-GLOBAL ID：201302253131887400   整理番号：13A0240658

原子層堆積法によるCo(W)合金膜のナノ構造制御

Nano-structures control of Co(W) alloy films by atomic layer deposition

著者 (5件)： 清水秀治 (大陽日酸) ,  小林芳彦 (大陽日酸) ,  多田益太 (大陽日酸) ,  百瀬健 (東大 大学院工学系研究科) ,  霜垣幸浩 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 大陽日酸技報(Web)  (Taiyo Nippon Sanso Technical Report (Web))
号： 31  ページ： 17-20 (WEB ONLY)  発行年： 2012年12月04日 
JST資料番号： U0260A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため,新たな材料が必要とされている。特に,Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/ライナー膜は高い抵抗率を従来有していることから,配線の信頼性を損なうことなくバリヤ/ライナー膜を薄膜化・低抵抗化することが求められている。本研究では,Cuとの密着性の観点から材料選定をおこなった上でW添加Co膜[Co(W)膜]に着目し,原子層堆積法(ALD)によるCo(W)膜の製膜手法確立に成功した。そして,Co(W)膜のCu拡散バリヤ性と60~90μΩ-cmという低い抵抗率を確認し,単層でバリヤ/ライナーとして働くCo(W)が次世代Cu配線にとって有望な材料であることを見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *コバルト合金 ,  タングステン含有合金 ,  *金属薄膜 ,  ナノ構造 ,  超LSI ,  電気抵抗率 ,  *配線
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  構造制御 ,  *Cu配線

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

引用文献 (4件)：

• 1)H. Kim, C. Cabral Jr., C. Lavoie, and S. M. Rossnagel: J. Vac. Sd. T.echnol. B 20 (2002) 1321.
• 2)Y. Y. Wu, A. Kohn, and M. Eizenberg: J. Appl. Phys. 95 (2004) 6167.
• 3),J.-S. Park, H.-S. Park, and S.-W. Karig: J. Electrochem. Soc. 149 (2002) C28.
• 4)H. Shimizu. K. Sakoda, T. Mornose, M. Koshi, and Y. Shimogaki: J. Vac. Sci. Technol. A 30 (2011) 0 1 A114.

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層堆積法 ,  CO ,  合金 ,  ナノ構造制御