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J-GLOBAL ID：201302253911213150   整理番号：12A1798797

アドミッタンス分光法を用いた,p-GaAs/n-GaInNAsSb/n-GaAs太陽電池構造内の適度にSiドープしたGaInNAsSb層における欠陥型の同定

Identification of defect types in moderately Si-doped GaInNAsSb layer in p-GaAs/n- GaInNAsSb/n-GaAs solar cell structure using admittance spectroscopy

著者 (6件)： MONIRUL ISLAM Muhammad (Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN) ,  MIYASHITA Naoya (Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN) ,  AHSAN Nazmul (Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN) ,  SAKURAI Takeaki (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, JPN) ,  AKIMOTO Katsuhiro (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, JPN) ,  OKADA Yoshitaka (Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 114910-114910-9  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInNAsSb系太陽電池構造のアドミッタンス分光法のバイアス依存性を測定し,欠陥(たとえば,構造内の中程度にSiドープしたGaInNAsSb(n-GaInNAsSb)層における界面欠陥および/またはバルク型欠陥)型の同定および特徴付けを行なった。バイアスゼロのアドミッタンス分光法によって,3つのピーク,すなわち,n-GaInNAsSb材料の伝導バンド端(EC)より下の局在準位0.03eV,0.07eV,0.16eVにそれぞれ対応するE1,E2,E3が発見された。印加された様々なDC逆バイアスに応答するアドミッタンス分光におけるE1ピークおよびE2ピークの一定した位置によって,E2,E3はn-GaInNAsSb膜のバルク全体にわたる空間的に均一なバルク欠陥に関係していることが示唆される。しかし,E1ピークのバイアス依存性アドミッタンスと容量-電圧(C-V)測定ならびに接合容量の温度依存性の特徴によって,E1ピークはn-GaInNAsSb層におけるより低温での自由キャリア緩和に起因して生じているかもしれないことが強く示唆される。フリーズアウト領域内の伝導機構を議論した。フリーズアウト領域内での伝導の周波数依存特性と共にアドミッタンスピークE1の解析によって,フリーズアウト条件でのn-GaInNAsSb材料の伝導特性がMottの可変領域ホッピング機構に支配されていることが示唆される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スペクトロスコピー ,  *太陽電池 ,  *格子欠陥 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  キャリア ,  緩和時間 ,  重イオン反応 ,  粒子生成 ,  ホッピング伝導 ,  Mott転移 ,  *アンチモン化物
準シソーラス用語： アドミタンス ,  *アドミタンス分光法 ,  キャリア緩和時間 ,  *ヒ化窒化アンチモン化ガリウムインジウム ,  フリーズアウト ,  可変領域ホッピング伝導 ,  自由キャリア ,  接合容量

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： アドミッタンス ,  分光法 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  Si ,  ドープ ,  欠陥 ,  同定