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J-GLOBAL ID：201302254481328698   整理番号：13A0009133

水中レーザアニールによる多結晶シリコン薄膜への結晶化および電気的欠陥の同時不活化

Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing

著者 (5件)： MACHIDA Emi (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  HORITA Masahiro (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., 744 Motooka Nishi-ku, Fukuoka 819-0395 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 25  ページ： 252106-252106-4  発行年： 2012年12月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [a-Siから(訳者補足)]多結晶シリコン(ポリ-Si)への水中レーザアニール(WLA)という低温レーザアニール法を提案する。KrFエキシマレーザをアニーリングに使用し,純水を流しながらレーザ照射を行うことによって多結晶Si膜の結晶化を試みた。WLA処理された試料の最大粒径の最大値は1.5μmで,平均粒径は空気中でアニーリング処理(LA)された従来の試料に比べて2.8倍程度大きいことが分かった。また,WLAはLA処理された多結晶Si膜に比べて,より少ない電気的欠陥に起因する低い伝導度と大きいキャリア寿命を持つ多結晶Si膜が形成されることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,  水中 ,  多結晶 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  半導体薄膜 ,  非晶質半導体 ,  *結晶化 ,  *ポリシリコン ,  純水 ,  結晶粒径 ,  平均値 ,  キャリア寿命 ,  *アモルファスシリコン

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水中 ,  レーザアニール ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  結晶化 ,  欠陥 ,  不活化