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J-GLOBAL ID：201302254832560240   整理番号：13A1283230

フォトニック結晶ナノ共振器によるGe量子ドットからの発光に関する室温での増大

Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room-temperature

著者 (4件)： XU Xuejun (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...) ,  USAMI Noritaka (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MARUIZUMI Takuya (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...) ,  SHIRAKI Yasuhiro (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 636-639  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光源の開発研究の一環として,本研究では,二重ヘテロ構造フォトニック結晶ナノ共振器に埋め込んだ自己集合Ge量子ドットについて,室温での波長範囲1.3~1.5μmの強い共鳴発光を提示した。このGe量子ドットは,固体ソースMBE成長により,シリコンオンインシュレータ(SOI)基板上に成長させた。光ルミネセンススペクトルにおいて,共鳴波長での>150倍の発光増大と,Q値が3870に達する鋭い共鳴ピークとを観測した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光共振器 ,  結晶 ,  *フォトニックバンドギャップ ,  半導体 ,  *ゲルマニウム ,  *量子ドット ,  素子構造 ,  MBE成長 ,  SOI構造 ,  Q値 ,  フォトニック結晶 ,  *光ナノ共振器 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： 固体ソースMBE

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトニック結晶 ,  ナノ共振器 ,  Ge ,  量子ドット ,  室温