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J-GLOBAL ID:201302254981745821   整理番号:13A0974900

不足膨張超音速ジェットによる非平衡プラズマCVDにおけるケイ素の局所蒸着に及ぼすVHF励起周波数の影響

Effect of VHF excitation frequency on localized deposition of silicon in non-equilibrium-plasma-enhanced CVD by an under-expanded supersonic jet
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資料名:
巻: 225  ページ: 75-78  発行年: 2013年06月25日 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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従来の非平衡プラズマ化学蒸着プロセスにおいて,種々の励起周波数で,不足膨張超音速ジェットにより打ちつけられた低温(473K)基板上への,ケイ素の高速局所蒸着を観察した。0.3mmの内径の単一ノズルを,容量結合プラズマ用電極の1つとして用いた。65kPaの圧力のSiH4/H2混合ガスを,800Paの圧力で真空チャンバ内にノズルを介して注入した。不足膨張超音速ジェットが生成されて,基板表面近傍に乱流を示した。4.5μm/sの最大蒸着速度を,100MHz VHF出力の0.8W/cm2のノズルから10mm下流に得た。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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