文献

J-GLOBAL ID：201302258660345100   整理番号：13A1298965

パルス堆積および誘導結合プラズマエッチングによる相変化材料のナノスケールギャップ充填

Nanoscale gap filling for phase change material by pulsed deposition and inductively coupled plasma etching

著者 (15件)： REN W. C. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-system ...) ,  REN W. C. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  REN W. C. (Univ. of the Chinese Acad. of Sciences, 100049, Beijing, CHN) ,  LIU B. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-system ...) ,  SONG Z. T. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-system ...) ,  JING X. Z. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  ZHANG B. C. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  XIANG Y. H. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  XIAO H. B. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  XU J. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  WU G. P. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  QI R. J. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  DUAN S. Q. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  YU Q. Q. (Semiconductor Manufacturing International Corp., 201203, Shanghai, CHN) ,  FENG S. L. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-system ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 112  号： 4  ページ： 999-1002  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスが45nm以下に縮小し続けているので,相変化材料のギャップ充填は相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)の製造プロセスにおける重要な基本単位になっている。しかし,従来の物理蒸着プロセスはナノスケールギャップの充填要件に全く合致しない。この研究では,パルス堆積とそれに続く誘導結合プラズマエッチングプロセスが一段階の堆積プロセスよりも良好なギャップ充填性能と拡張性を明確に示すことが分かった。堆積-エッチ-堆積(DED)プロセスのギャップ充填機構を簡単に考察した。エッチングプロセス中の膜の再堆積がギャップ充填の改善の重要な要因である。2サイクルDEDプロセスで1:1のアスペクト比をもつ30nmのバイアに空孔のない相変化材料のギャップ充填を実現した。この結果はDEDプロセスの機構に対するかなりの総合的な知見を与え,PCRAM用の45nm以下の技術ノードに対する可能性のあるギャップ充填方法を提案するものである。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *PRAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  半導体プロセス ,  長さ ,  *カルコゲン化物ガラス ,  ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  化合物半導体 ,  非晶質半導体 ,  *結晶化 ,  *バイアホール ,  充填 ,  薄膜成長 ,  *物理蒸着 ,  *プラズマエッチング ,  誘導結合プラズマ ,  アスペクト比
準シソーラス用語： 最小加工寸法

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  堆積 ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  相変化材料